Искусство схемотехники. Том 3 (Изд.4-е) - Хоровиц Пауль - Страница 117

Указание даты в маркировке. На большинстве ИС и транзисторов и на многих других электронных компонентах проставляется четырехзначная дата изготовления: первые две цифры указывают год, а последние две — неделю года. В приведенном выше примере число 7410 означает, что ИС была изготовлена во вторую неделю марта месяца 1974 г. Иногда эти цифры полезны, так как позволяют определить возраст компонентов, имеющих ограниченный срок службы (к числу таких компонентов относятся, например, электролитические конденсаторы); к сожалению, компоненты с наиболее коротким сроком службы (батареи) специально маркируют так, что нельзя определить дату изготовления. Если вам попадется партия ИС с необычно высоким уровнем отказов (в большинстве случаев на предприятии проверяется только некоторая выборка из партии; как правило, от 0,01 % до 0,1 % поступающих в продажу ИС не отвечает паспортным данным), то лучше не заменять их схемами с такой же датой изготовления. Дата, указанная в маркировке, позволяет также определять дату изготовления коммерческого оборудования. Так как ИС не «черствеют» подобно хлебу, нет смысла отказываться от ИС со старой датой изготовления.

Приложение Л

ТЕХНИЧЕСКИЕ ПАСПОРТА НА ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

В этом приложении мы привели три паспорта на элементы в том виде, каком их предоставляет фирма-изготовитель. Мы выбрали подходящие для примера или широко распространенные элементы, особое внимание при отборе было обращено на то, чтобы паспорта были четкими и понятными.

На следующих страницах помещены паспорта на следующие элементы:

2N4400-4401 Популярный сигнальный транзистор

_{(по изданию Motorola Semiconductor Library, том 1, 1974).}

_{(С разрешения фирмы Motorola Semiconductor Products Inc.)}

LF411-412 Популярная серия ОУ на полевых транзисторах с p-n-переходом

_{(печатается по изданию National Semiconductor Linear Data Book, том 1, 1988).}

_{(С разрешения фирмы National Semiconductor Corp.)}

LM317 Регулируемый 3-выводной стабилизатор положительного напряжения

_{(печатается по изданию National Semiconductor Linear Data Book, 1978).}

_{(С разрешения фирмы National Semiconductor Corp.)} 

2N4400 2N4401

Кремниевые переключательные и усилительные n-р-n-транзисторы; август 1966-DS 5198

_{1 — плоский D-образный корпус для обеспечения монтажа на плоской плате;}

_{2 — прочный, литой, высокотемпературный, прессованный, влагоустойчивый пластмассовый корпус;}

_{3 — расположение вывода легко приспосабливается к стандартному кругу выводов ТО-18;}

_{4 — овальные позолоченные выводы длиной 19/32 дюйма позволяют надежно паять соединение.}

Кремниевые n-р-n-транзисторы типа ANNULARE ^[6]

… предназначены для ключевых схем общего назначения, усилительных схем и для использования в комплементарных схемах совместно с p-n-p-транзисторами типа 2N4402 и 2N4403.

• Высокое предельное напряжение - пробивное U_KЭО= 40 В (мин.).

• Усиление по току определяется в пределах от 0,1 до 500 мА.

• Низкое напряжение насыщения U_{кэ (нас)} = 0,4 В (макс.) при I_к = 150 мА.

• Полный перечень переключательных и усилительных характеристик.

• Литой корпус типа Injection-Molded Unibloc^[7].

Схема ТО-92.

Эквивалентные схемы для измерения времени переключения

Рис. 1. Время включения.

_{Время нарастания осциллографа < 4 нс, * полная шунтирующая емкость испытательного стенда, соединений и осциллографа.} 

Рис. 2. Время выключения.

Переходные характеристики

_{На рис. 3–8: 25 °C, — 100 °C.}

Рис. 3. Емкости.

Рис. 4. Характеристики заряда.

Рис. 5. Время включения.

Рис. 6. Время нарастания и время спада.

Рис. 7. Время хранения.

Рис. 8. Время спада.

Характеристики малого сигнала

Коэффициент шума

_{Uкэ = 10 В пост. тока, Токр = 25 °C}

Рис. 9. Влияние частоты.

Рис. 10. Влияние сопротивления источника.

h-параметры

_{Uкэ = 10 В пост, тока, f = 1 кГц, Токр = 25 °C.} 

Эта группа графиков иллюстрирует взаимосвязь между h_21эи другими h-параметрами для транзисторов этой серии. Для получения этих кривых были отобраны элементы с высоким и низким коэффициентом усиления среди транзисторов типа 2N4400 и 2N4401, соответствующие номера элементов проставлены на каждом из графиков.

Рис. 11. Коэффициент усиления по току.